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The microstructural properties and electrical characteristics of sputtering films deposited with a Cu-Ga target are analyzed. The Cu-Ga target is prepared using the cold spray process and shows generally uniform composition distributions, as suggested by secondary ion mass spectrometer (SIMS) data. Characteristics of the sputtered Cu-Ga films are investigated at three positions (top, center and bottom) of the Cu-Ga target by X-ray diffraction (XRD), SIMS, 4-point probe and transmission electron microscopy (TEM) analysis methods. The results show that the Cu-Ga films are composed of hexagonal and unknown phases, and they have similar distributions of composition and resistivity at the top, center, and bottom regions of the Cu-Ga target. It demonstrates that these films have uniform properties regardless of the position on the Cu-Ga target. In conclusion, the cold spray process is expected to be a useful method for preparing sputter targets.
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K. Ramanathan / 2003 / J. Ward and Anna Duda: Prog. Photovolt:Res. Appl. 11:225
P. Jackson / 2011 / Prog. Photovolt:Res. Appl. 19:894
Sunghun Jung / 2010 / Effects of Ga contents on properties of CIGS thin films and solar cells fabricated by co-evaporation technique / Current Applied Physics 10(4):990~996
C. Yuh Su / 2011 / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 95:261
H. Araki / 2009 / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 93:996
P. Jackson / 2011 / Prog. Photovolt:Res. Appl. 19:894
Sunghun Jung / 2010 / Effects of Ga contents on properties of CIGS thin films and solar cells fabricated by co-evaporation technique / Current Applied Physics 10(4):990~996
C. Yuh Su / 2011 / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 95:261
H. Araki / 2009 / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 93:996
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