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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 111 - 115 (5page)
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실리콘 태양전지의 효율을 향상하기 위해서는 소수 캐리어의 높은 수명이 필수조건이다. 따라서, 이를 달성하기 위한 실리콘 표면결함을 없애줄 수 있는 부동화(passivation) 기술이 매우 중요하다. 일반적으로 PECVD 법이나 열산화 공정을 통해 얻어진 SiO2 박막이 부동화 층으로 많이 사용되나 1000도에 이르는 고온 공정과 낮은 열적 안정성이문제로 여겨진다. 본 연구에서는 원자층 증착법을 이용하여 400도 미만의 저온 공정을 통해 Al2O3 부동화 박막을 형성하였다. Al2O3 박막은 고유의 음의 고정 전하밀도로 인해 낮은 표면 재결합속도를 보이는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 질소 도핑을 통해 높은 음의 고정 전하 밀도를 얻고 이를 통해 좀 더 향상된 실리콘 표면 부동화 특성을 얻고자 하였다.
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A. W. Blakers / 1989 / 22.8% Efficient Silicon Solar Cell / Appl. Phys. Lett 55 : 1363 ~
F. K. Urban / 1988 / Ellipsometer Measurement of Thickness and Optical Properties of Thin Absorbing Films / Appl. Surf. Sci 33 : 934 ~
J. Schmidt / 2008 / Atomic-layer-deposited Aluminum Oxide for the Surface Passivation of High-efficiency Silicon Solar Cells / Photovoltaic Specialists Conference 2008 (PVSC'08), 3
M D. Groner / 2004 / Low-Temperature Al2O3 Atomic Layer Deposition / Chem. Mater 16 (4) : 639 ~
R. K. Ahrenkiel / 2009 / An Optical Technique for Measuring Surface Recombination Velocity / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 93 (5) : 645 ~
F. K. Urban / 1988 / Ellipsometer Measurement of Thickness and Optical Properties of Thin Absorbing Films / Appl. Surf. Sci 33 : 934 ~
J. Schmidt / 2008 / Atomic-layer-deposited Aluminum Oxide for the Surface Passivation of High-efficiency Silicon Solar Cells / Photovoltaic Specialists Conference 2008 (PVSC'08), 3
M D. Groner / 2004 / Low-Temperature Al2O3 Atomic Layer Deposition / Chem. Mater 16 (4) : 639 ~
R. K. Ahrenkiel / 2009 / An Optical Technique for Measuring Surface Recombination Velocity / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 93 (5) : 645 ~
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