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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제12권 제2호
발행연도
2005.1
수록면
111 - 119 (9page)

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직경 75m, 높이 90m 및 150m 피치의 Cu via를 통한 삼차원 배선구조를 갖는 스택 시편을 deep RIE를 이용한 via hole 형성공정, 펄스-역펄스 전기도금법에 의한 Cu via filling 공정, CMP를 이용한 Si thinning 공정, photholithography, 금속박막 스퍼터링, 전기도금법에 의한 Cu/Sn 범프 형성공정 및 플립칩 공정을 이용하여 제작하였다. Cu via를 갖는 daisy chain 시편에서 측정한 접속범프 개수에 따른 daisy chain의 저항 그래프의 기울기로부터 Cu/Sn 범프 접속저항과 Cu via 저항을 구하는 것이 가능하였다. 270oC에서 2분간 유지하여 플립칩 본딩시 100´100m 크기의 Cu/Sn 범프 접속저항은 6.7 m이었으며, 직경 75m, 높이 90m인 Cu via의 저항은 2.3m이었다.
#Stack package #System in Package #Flip chip #Cu via #Electroplating #electronic packaging

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/ 1986 / New film-carrier-assembly technology `transferred bump TAB : 122 ~ 127 google schola / 1988 / A review of 3-D packaging technology packaging and manufacturing technol. : 212 ~ 14 google schola / 1992 / A portable multimedia terminal 30 : 64 ~ 75 google schola / 1993 / Three-dimensional electronics packaging : 159 ~ 161 google schola / 1994 / Advanced TAB/BGA multi-chip stacked module for high density LSI packages : 68 ~ 76 google schola

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