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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제4호
발행연도
2007.1
수록면
367 - 373 (7page)

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In2O3-ZnO(IZO) and In2O3-ZnO-SnO2(IZTO) thin films were prepared on EAGLE 2000 glass webs in a Ar gas by RF-Magnetron sputtering. Electrical resistivity and optical transmittance of the films were investigated. IZO, IZTO film showed excellent optical transmittance of 85 % at the visible 400∼780 ㎚ wavelength. Electrical properties of IZO film have 6.50× 10-4 Ω㎝ (95 In2O3 : 5 ZnO wt.%) and 5.20×10-4 Ω㎝ (90 : 10 wt.%), IZTO film have 8.00×10-4 Ω㎝ (90 In2O3 : 3 ZnO : 7 SnO2 wt.%) and 6.50×10-4 Ω㎝ (90 : 7 : 3 wt.%). Substitution of SnO to ZnO in ITO films showed slightly lower electrical conductivity than ITO film but showed similar optical transmittance.

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