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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제4호
발행연도
2007.1
수록면
303 - 307 (5page)

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This paper investigated the effect of the pad buffing process on the material removal characteristics and pad stabilization during silicon chemical mechanical polishing. The pads surface were controlled by the buffing process using a buffer made by the sandpaper. The buffing process is based on abrasive machining by using a high speed sandpaper. The controlled pad by the buffing process show less deformation deviation and stable material removal rate during the CMP process. In addition, the controlled pad ensure better uniformity of removal rate than comparative pads. As a result of monitoring, the controlled pad by the buffing process demonstrated constant and stable friction force signals from initial polishing stage. Therefore, the buffing process could control the pad surface to be uniform and improve the performance of the polishing pad.

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