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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권
발행연도
2003.1
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Transformer Coupled Plasma Chemical Vapor Deposited (TCP-CVD) silicon nitride (SiNx) is widely used as a gate dielectric material for thin film transistors (TFT). This paper reports the SiNx films, grown by TCP-CVD at the low temperature (300℃). Experimental investigations were carried out for the optimization of SiNx film as a function of N2/SiH4 flow ratio varying 3 to 50 keeping rf power of 200 W. This paper presents the dielectric studies of SiNx gate in terms of deposition rate, hydrogen content, etch rate and leakage current density characteristics for the thin film transistor applications. And also, this work investigated means to decrease the leakage current of SiNx film by employing N2 plasma treatment. The insulator layers were prepared by two step process; the N2 plasma treatment and then PECVD SiNx deposition with SiH4, N2 gases.
#Polycrystalline thin film tranistor #SiNx #TCP-CVD #N2 plasma treatment #Leakage current

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