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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제4호
발행연도
2010.1
수록면
317 - 322 (6page)

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This paper reports the fabrication and characterization of surface micromachined poly 3C-SiC capacitive pressure sensors on silicon wafer operable in touch mode and normal mode for high temperature applications. FEM(finite elements method) simulation has been performed to verify the analytical mode. The sensing capacitor of the capacitive pressure sensor is composed of the upper metal and the poly 3C-SiC layer. Measurements have been performed in a temperature range from 25℃ to 500℃. Fabrication process of designed poly 3C-SiC touch mode capacitive pressure sensor was optimized and would be applicable to capacitive pressure sensors that are required high precision and sensitivity at high pressure and temperature.

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