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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 411 - 414 (4page)
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The germanium films were deposited by metal organic chemical vapor deposition using Ge(allyl)₄ precursors on TiAlN substrates. Deposition of germanium films was only possible with a presence of Sb(iPr)₃, which means that Sb(iPr)₃ takes a catalytic role by a thermal decomposition of Sb(iPr)₃ for Ge film deposition. Also, as Sb bubbler temperature increases, deposition rate of the Ge films increases at a substrate temperature of 370 ℃. The GeTe thin films were fabricated by MOCVD with Te(tBu)₂ on Ge thin film. The GeTe films were grown by the tellurium deposition at 230-250 ℃ on Ge films deposited on TiAlN electrode in the presence of Sb at 370 ℃. The GeTe film growth on Ge films depends on the both the tellurium deposition temperature and deposition time. Also, using Sb(iPr)₃ precursor, GeSbTe films with hexagonal structures were fabricated on GeTe thin films. GeSbTe films were deposited in trench structure with 200 ㎚*120 ㎚ small size.
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J.H. Coombs / 1995 / Laser-induced crystallization phenomena in GeTe-based alloys / J. Appl. Phys 78 : 4906 ~
L.P. Shi / 1999 / Study of the partial crystallization properties of phase-change optical recording disks / Jpn. J. Appl. Phys 38 : 1645 ~
N. Nobukuni / 1995 / Microstructural changes in GeSbTe film during repetitious overwriting in phase change optical recording / J. Appl. Phys 78 : 6980 ~
S. Lai / 2001 / OUM-A 180 nm Nonvolatile Memory Cell Element Technology for Stand Alone and Embedded Applications / Electron Devices Meeting, 2001 & IEDM : 36.5.1 ~
V. Weidenhof / 2001 / Laser induced crystallization of amorphous Ge2Sb2Te5 films / J. Appl. Phys 89 : 3168 ~
L.P. Shi / 1999 / Study of the partial crystallization properties of phase-change optical recording disks / Jpn. J. Appl. Phys 38 : 1645 ~
N. Nobukuni / 1995 / Microstructural changes in GeSbTe film during repetitious overwriting in phase change optical recording / J. Appl. Phys 78 : 6980 ~
S. Lai / 2001 / OUM-A 180 nm Nonvolatile Memory Cell Element Technology for Stand Alone and Embedded Applications / Electron Devices Meeting, 2001 & IEDM : 36.5.1 ~
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