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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 629 - 637 (9page)
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We report several experimental data capable of evaluating the amorphous-to-crystalline (a-c) phase transformation in (Ag)x(Ge₂Sb₂Te5)1-x (x = 0, 0.05, 0.1) thin films prepared by a thermal evaporation. The isothermal a-c structural phase changes were evaluated by XRD, and the optical transmittance was measured in the wavelength range of 800∼3000 nm using a UV-vis-IR spectrophotometer. A speed of the a-c transition was evaluated by detecting the reflection response signals using a nano-pulse scanner with 658 nm laser diode (power P = 1～17 mW, pulse duration t = 10～460 ns). The surface morphology and roughness of the films were imaged by AFM. It was found that the crystallization speed was so enhanced with an increase of Ag content. While the sheet resistance of c-phase (Ag)x(Ge₂Sb₂Te5)1-x was similar to that of c-phase Ge₂Sb₂Te5(i.e., Rc ∼ 10 Ω/□), the sheet resistance of a-phase (Ag)x(Ge2Sb2Te5)1-x was found to be lager than that of a-phase Ge₂Sb₂Te5, Ra ∼ 5x106 Ω/□. For example, the ratios of Ra/Rc for Ge2Sb2Te5 and (Ag)0.1(Ge₂Sb₂Te5)0.9 were approximately 5x105 and 5x106, respectively.
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A. Pirovano / 2004 / Electronic swiching in phase-change memories / IEEE trans on Electronic Devices 51 (3) : 452 ~
D. Salamon / 2003 / An Electrical Simulation Model for the Chalcogenide Phase-Change Memory Cell / IEEE Proc. of the Memory Tcdhnology, Design and Testing, 2003
J. Maimon / 1985 / Chalcogenide based Non-volatile Memory Technology / 2001 IEEE : 2289 ~
R. Nealson / 1970 / Nonvolatile and reproprammable, the read-mostly memory is here / Electronics : 56 ~
S. Ovshinsky / 1998 / Amorphous materials-The key to new devices / IEEE proc. of CAS : 33 ~
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R. Nealson / 1970 / Nonvolatile and reproprammable, the read-mostly memory is here / Electronics : 56 ~
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