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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제3호
발행연도
2010.1
수록면
183 - 189 (7page)

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In this paper, the trench gate emitter switched thyristor(EST) withl trench gate electrode is proposed for improving snap-back effect which leads to a lot of problems in device applications. The parasitic thyristor which is inherent in the conventional EST is completely eliminated in this structure, allowing higher maximum controllable current densities for ESTs. The dual trench gate allows homogenous current distribution in the EST and preserves the unique feature of the gate controlled current saturation of the thyristor current. The characteristics of the 1700 V forward blocking EST obtained from two-dimensional numerical simulations (MEDICI) is described and compared with that of a conventional EST. we carried out layout, design and process of EST devices
#Power devices #Emitter switched thyristor #1700 V breakdown voltage #MCT #On resistance

목차

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참고문헌 (5)

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N. Iwamuro / 1995 / Forward biased safe operating area of emitter switched thyristor / IEEE Trans. ED 42 (2) : 334 ~ google schola N. Thapar / 1998 / An experimental evluation of the on-state performance of trench IGBT designs / Solid- State Electronics 42 (5) : 771 ~ google schola S. Sridhar / 1996 / The dual gate emitter switched thyristor / IEEE EDL 17 (1) : 25 ~ google schola 강이구 / 2002 / 인텔리전트 파워 IC의 구현을 위한 횡형 트렌치 전극형 IGBT의 제작 및 그 전기적 특성에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 15 (9) google schola 강이구 / 2010 / 내압특성개선을 위한 트렌치 필드링 설계 및 전기적특성에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 23 (1) : 1 ~ 5 google schola

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