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논문 기본 정보

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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제3호
발행연도
2004.1
수록면
259 - 266 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2004

EST(Emitter Switched Thyristor) 소자의 트랜치 전극에 의한 특성 변화 연구
김대원 ,  성만영 ,  강이구 전기전자재료학회논문지 2004.01 학술저널

2003

트랜치 전극을 가진 Emitter Switched Thyristor의 전기적 특성 변화
김대원 ,  김대종 ,  성만영 외 2명 한국컴퓨터산업교육학회 학술대회 2003.01 학술대회자료

초록· 키워드

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In this paper, a new two types of EST(Emitter Switched Thyristor) structures are proposed to improve the electrical characteristics including the current saturation capability. Besides, the two dimensional numerical simulations were carried out using MEDICI to verify the validity of the device and examine the electrical characteristics. First, a vertical trench electrode EST device is proposed to improve snap-back effect and its blocking voltage. Second, a dual trench gate EST device is proposed to obtain high voltage current saturation characteristics and high blocking voltage and to eliminate snap-back effect. The two proposed devices have superior electrical characteristics when compared to conventional devices. In the vertical trench electrode EST, the snap-back effect is considerably improved by using the vertical trench gate and cathode electrode and the blocking voltage is one times better than that of the conventional EST. And in the dual trench gate EST, the snap-back effect is completely removed by using the series turn-on and turn-off MOSFET and the blocking voltage is one times better than that of the conventional EST. Especially current saturation capability is three times better than that of the other EST.
#EST #Trench electrode #Current Saturation #Snap-back #Dual Trench Gate

목차

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참고문헌 (13)

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/ 1984. / IEEE Trans. on Electron Devices ed-31 : 683 ~ google schola / 1989. / Design aspects of MOS controlled thyristor elements : 297 ~ google schola / 1991. / Characteristics of the emitter switched thyristor 38 : 1619 ~ google schola / 1996. / Power semiconductor devices google schola / 1998. / A high performance plasma display driver IC using SOI : 1613 ~ google schola

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