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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 1 - 5 (5page)
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In this paper, we proposed trench field ring for breakdown voltage of power devices. The proposed trench field ring was improved 10% efficiency comparing with conventional field ring. we analyzed five parameters of trench field ring for design of trench field ring and carried out 2-D devices simulation and process simulations. That is, we analyzed number of field ring, juction depth, distance of field rings, trench width, doping profield. The proposed trench field ring was better to more 1000 V.
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F. Udera / 1999 / 1.2 kV trench insulated gate bipolar transistors with ultra low on resistance / IEEE Trans. EDL 20 (8) : 428 ~
K. Sheng / 1994 / Improved understand- switched thyristors / Proceedings of the ISPSD : 48 ~
N. Iwamuro / 1995 / Forward biased safe operating area of emitter switched thyristor / IEEE Trans. ED 42 : 334 ~
N. Thapar / 1998 / An experimental evluation of the on-state performance of trench IGBT designs / SSE 45 (5) : 771 ~
S. Sridhar / 1996 / The dual gate emitter switched thyristor / IEEE EDL 32 (17) : 25 ~
K. Sheng / 1994 / Improved understand- switched thyristors / Proceedings of the ISPSD : 48 ~
N. Iwamuro / 1995 / Forward biased safe operating area of emitter switched thyristor / IEEE Trans. ED 42 : 334 ~
N. Thapar / 1998 / An experimental evluation of the on-state performance of trench IGBT designs / SSE 45 (5) : 771 ~
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