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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제3호
발행연도
2002.1
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In this paper, we have proposed a novel trench electrode Base Resistance Thyristor(BRT) and trench electrode BRT with a intrinsic region. New power BRTs have shown superior electrical characteristics including the snab-back effect and the forward blocking voltage more than the conventional BRT. Especially, the trench electrode BRT with the intrinsic region has obtained high blocking voltage of 1600V. The blocking voltage of conventional BRT is about 400V at the same size. Because the breakdown mechanism of the BRT is the avalanch breakdown by impact ionization, the trench electrode BRT with intrinsic region has suppressed impact ionization, effectively. If we use this principle, we can develop a super high voltage power device and it applies to another power device including IGBT, EST and etc.
#Trench electrode #Intrinsic region #Forward blocking voltage #Snab-back #High blocking voltage

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