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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 969 - 973 (5page)
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In this study, the electrical and optical properties of (SiO2)x(ZnO)100-x (SZO) films prepared on the corning 7059 glass substrates by using rf-magnetron sputtering method are investigated. The deposition rate becomes maximum near 3 wt.% and gradually decreases when the SiO2 content further increases. The growth rates of the SZO film with SiO2 content of 3 wt.% is 4 Å/s. We found that the average transmittance of all films is over 80% in the wavelength range above 500 nm. The optical band gap were decreased from 3.52 to 3.33 eV as an increase the deposition thickness. X-ray diffraction patterns showed that the film with a relatively low SiO2 content (< 4 wt.%) is amorphous. SZO film with the SiO2 contents of 2 wt.% showed the resistivity of about 3.810-3 Ω·cm. The sheet resistance decreases with increasing the heat treatment temperature.
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A. Kaijou / 1999 / Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material, U. S. Patent, No. 5,972,527
Cheung, J. T. / / Transparent and conductive zinc oxide film with low growth temperature, U. S. Patent, No. 6,458
E. Hanamura / 1988 / Very large optical nonlinearity of semiconductor microcrystallites / Phys. Rev. B 37 (3) : 1273 ~
H. Hiramatsu / 1998 / Electrical and optical properties of radio- frequency-sputtered thin films of (ZnO)5In2O3 / Chem. Mater. 10 (10) : 3033 ~
H. M. Kim / 2003 / Electrical and optical properties of In2O3?ZnO films deposited on polyethylene terephthalate substrates by radio frequency magnetron sputtering / Jpn. J. A
Cheung, J. T. / / Transparent and conductive zinc oxide film with low growth temperature, U. S. Patent, No. 6,458
E. Hanamura / 1988 / Very large optical nonlinearity of semiconductor microcrystallites / Phys. Rev. B 37 (3) : 1273 ~
H. Hiramatsu / 1998 / Electrical and optical properties of radio- frequency-sputtered thin films of (ZnO)5In2O3 / Chem. Mater. 10 (10) : 3033 ~
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