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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김종욱 (청주대학교 전자공학과) 황창수 (공군사관학교) 김홍배 (청주대학교 전자정보공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제9권 제1호
발행연도
2010.1
수록면
29 - 33 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2010

RF magnetron sputtering법으로 형성된 ZnO 박막의 투명박막트랜지스터 특성 연구
김종욱 ,  황창수 ,  김홍배 한국진공학회 학술발표회초록집 2010.02 학술대회자료
RF magnetron sputtering법으로 형성된 ZnO 박막의 RF 파워 및 공정 압력이 미치는 영향
김종욱 ,  황창수 ,  김홍배 한국진공학회 학술발표회초록집 2010.02 학술대회자료
RF magnetron sputtering법으로 제조한 Al doped ZnO 박막의 산소함량과 압력변화에 따른 전기적 특성 변화
김종욱 ,  김홍배 반도체디스플레이기술학회지 2010.01 학술저널
RF magnetron sputtering법으로 형성된 ZnO 박막의 투명반도체 특성
김종욱 ,  황창수 ,  김홍배 반도체디스플레이기술학회지 2010.01 학술저널

2009

RF magnetron sputtering 법으로 제조한 ZnO 박막의 RF 파워에 따른 특성
김종욱 ,  김민석 ,  이인환 외 4명 한국진공학회 학술발표회초록집 2009.02 학술대회자료

초록· 키워드

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Recently, the growth of ZnO thin film on glass substrate has been investigated extensively for transparent thin film transistor. We have studied the phase transition of ZnO thin films from metal to semiconductor by changing RF power in the deposition process by RF magnetron sputtering system. The structural, electric, and optical properties of the ZnO thin films were investigated. The film deposited with 75 watt of RF power showed n-type semiconductor characteristic having suitable resistivity $-3.56\;{\times}\;10^{+1}\;{\Omega}cm$, carrier concentration $-2.8\;{\times}\;10^{17}\;cm^{-3}$, and mobility $-0.613\;cm^2V^{-1}s^{-1}$ while other films by 25, 50, 100 watt of RF power closed to metallic films. From the surface analysis (AFM), the number of crystal grain of ZnO thin film increased as RF power increased. The transmittance of the film was over 88% in the visible region regardless of the change in RF power.
#ZnO #Transparent Thin Film Transistor #TTFT) #RF magnetron sputtering #RF power #Oxide semiconductor

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