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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.9
- 수록면
- 41 - 47 (7page)
- DOI
- 10.14801/jkiit.2019.17.9.41
이용수
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본 논문은 ㎓ 대역 저잡음 증폭기의 선형성 향상에 관한 연구 결과를 제안한다. 선형성 향상을 증명하기 위해 제안하는 회로는 TSMC 0.13-㎛ 혼성신호/고주파 BiCMOS SiGe 공정(f<SUB>T</SUB>/f<SUB>MAX</SUB>=120/140㎓)으로 제작하였다. 또한, 제작한 증폭기는 1.2볼트 전원전압에서 동작하며, 2.4㎓의 동작주파수에 동작하도록 구현되어 있다. 높은 선형성을 확보하기 위해 MBDS 기법을 이용하였다. 선형성 향상에 영향을 미치는 2차 비선형 트랜스컨덕턴스 계수를 감소시키기 위해 바이폴라 트랜지스터의 에미터에 병렬로 LC 탱크 회로를 연결하였다. 또한, 바이폴라 및 MOS 트랜지스터의 3차 비선형 계수의 위상을 조절하기 위해 베이스-콜렉터와 게이트-드레인에 각각 두 개의 귀환 커패시턴스를 연결하였다. 제안하는 저잡음 증폭기는 최근 발표된 연구결과와 비교해볼 때 27.6㏈m의 가장 우수한 IIP3 특성을 보였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 선형성 및 회로 설계
Ⅲ. 결과 및 분석
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
노석호 / 2014 / 차량 추돌 예방 레이더를 위한 24GHz CMOS 믹서 설계 / 한국정보기술학회논문지 12(11):31~37
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Habib Rastegar / 2016 / An Integrated High Linearity CMOS Receiver Frontend for 24-GHz Applications / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 16(5):595~604
H. Rastegar / 2015 / A broadband Low Noise Amplifier with built-in linearizer in 0. 13-μm CMOS process / Microelectronics Journal 46(8):698~705
Habib Rastegar / 2016 / A 2 GHz 20 dBm IIP3 Low-Power CMOS LNA with Modified DS Linearization Technique / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 16(4):443~450
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