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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제3호
발행연도
1996.9
수록면
223 - 228 (6page)

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InSb기판위에 remote PECVD장치를 이용하여, 200℃보다 낮은 저온에서 SiO₂막을 증착시켰다. 증착압력, 증착온도, 가스 유량비등의 공정변수들에 따른 SiO₂막의 물리적 전기적 특성을 조사하였으며, 155℃에서 증착시킨 SiO₂막을 이용하여 InSb MIS소자를 제조하여 전류-전압 및 정전용량-전압 특성을 77K에서 측정하였다. AES 분석 결과, SiO₂막내부 원자들의 화학조성비가 일정하게 유지되었으며, 기판원자들의 외부 확산이 거의 없었다. 제조된 MIS소자의 전류밀도는 0.75㎹/㎝에서 6.26㎁/㎠의 낮은 전류밀도를 나타내었으며, 항복전압 강도는 약 1 ㎹/㎝ 이었다. 1 MHz C-V측정으로부터 계산된 중간 에너지 대역폭에서의 계면 상태밀도가 5.54×10¹¹ ㎝^(-2)eV^(-1)으로 나타났다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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