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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제1호
발행연도
1997.2
수록면
36 - 43 (8page)

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Pt/Ti/SiO₂/Si 기판상에 고주파 마그네트론 스퍼터링 방식으로 PZT 박막 [두께: 3000Å]을 증착하고 RTA 방식으로 후속 열처리[열처리온도: 550℃~650℃, 열처리 시간: 10초~50초]를 실시하여 직경 0.2㎜ 소자의 FECAPs(ferroelectric capacitors)를 제작하였다. 제작된 커패시터의 유전상수(ε_r)와 잔류분극(2P_r)은 650℃로 30초간 열처리한 시편에서 ε_r(1kHz) = 690, 2Pr(-5V~5V sweep) = 22 μC/㎠로 가장 높게 나타났으며 유전 정접(tan δ)과 누설전류(J_ㅣ)는 600℃에서 30 초간 열처리한 시편에서 tan δ(≥ 10kHz)≤0.02, J_l(5V)=3 μA/㎠로 가장 낮게 나타났다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

참고문헌 (0)

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