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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1997.8
- 수록면
- 181 - 186 (6page)
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TiC(001) 면위에 Mg 금속을 증착시킨 후 상온에서 산소를 노출시키는 방법으로 hetero-epitaxial MgO 막을 성장시켰으며, 성장된 MgO epitaxial 막의 구조를 비행시간형 직충돌 이온산란분광법을 사용하여 해석하였다. MgO 막은 산화 직후 무질서한 배열을 갖으나, 약 300℃의 가열에 의해서 1×1 구조로 전환된다. TiC(001) 위에 성장된 MgO 막은 다음과 같은 구조를 갖고 있음이 밝혀졌다. Mg 및 O 원자는 TiC의 on-top site에 위치하고, 면내방향의 격자상수는 TiC의 격자상수와 일치하며, MgO 막의 대부분은 2층 이내의 원자층으로 구성되어 있다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
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