메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Lee, Chong-Mu (Department of Metallurgical Engineering , Inha University) Han, Sung-Hee (Department of Metallurgical Engineering , Inha University)
저널정보
한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제2호
발행연도
1995.1
수록면
887 - 893 (7page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

초록· 키워드

오류제보하기
The crystallite size of the chemical-vapor-deposited Cu film is usually so large that the Cu film does not fill contact holes or via holes in ultra-large-scaled integrated cirucits well. Therefore, is is very important to make the grain size of the Cu film small enough to fill small contact holes with high aspect ratio. Preteratment of the substrate surface with Ar plasma has been found to be effctive in making the grain size of the Cu film smaller and in enhancing the deposition rate of the Cu film. A Cu film deposited on borophosphosilicate glass(BPSG) has the characterisics of a smaller grain size, a lower resistivity, and a higher degree of (III) preferred orientation, but the lower deposition rate is slightly lower than that for Si$O_2$ glass. The higher resistivity of the Cu film on Si$O_2$ may be due to the formation of the intermetallic compound $Cu_15$S$i_4$ about 40$0^{\circ}C$ which is not formed at the Cu-BPSG interface at the same temperature. Also, the dependence of some properties of the Cu film on the substrate materials is discussed.

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (0)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0