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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
조유정 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 한길진 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 김영철 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 서화일 (한국기술교육대학교 정보기술공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제4권 제3호
발행연도
2005.1
수록면
1 - 4 (4page)

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Silicon oxynitride films were deposited using ammonia as a nitrogen source via PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) to study the physical properties of the films. Silane and nitrous oxide were used as silicon and oxygen sources, respectively. The composition of the silicon oxynitride films was well controlled by changing the ratios of the sources and confirmed by XPS. The silicon oxynitride films with high oxygen content showed bigger compressive stress and less refractive index, while the values of surface roughness were around 1 nm, irrespective of the variation of the source ratios.
#PECVD #Plasma-enhanced chemical vapor deposition) #Silicon dioxide #Silicon oxynitride #Silicon nitride

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