Characterization of the ultra thin films of silicon oxynitride deposited by plasma-assisted  $N_2O$ oxidation for thin film transistors

Hwang, Sung-Hyun; Jung, Sung-Wook; Kim, Hyun-Min; Kim, Jun-Sik; Jang, Kyung-Soo; Lee, Jeoung-In; Lee, Kwang-Soo; Jung, Won-June; Dhungel, S.K.; Ghosh, S.N.; Yi, J.

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저자정보: Hwang, Sung-Hyun (School of Information and Communication Engneering, Sungkyunkwan University) Jung, Sung-Wook (School of Information and Communication Engneering, Sungkyunkwan University) Kim, Hyun-Min (School of Information and Communication Engneering, Sungkyunkwan University) Kim, Jun-Sik (School of Information and Communication Engneering, Sungkyunkwan University) Jang, Kyung-Soo (School of Information and Communication Engneering, Sungkyunkwan University) Lee, Jeoung-In (School of Information and Communication Engneering, Sungkyunkwan University) Lee, Kwang-Soo (School of Information and Communication Engneering, Sungkyunkwan University) Jung, Won-June (School of Information and Communication Engneering, Sungkyunkwan University) Dhungel, S.K. (School of Information and Communication Engneering, Sungkyunkwan University) Ghosh, S.N. (School of Information and Communication Engneering, Sungkyunkwan University) Yi, J. (School of Information and Communication Engneering, Sungkyunkwan University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display

발행연도: 2006.1

수록면: 1,462 - 1,464 (3page)

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Scaling rules for TFT application devices have led to the necessity of ultra thin dielectric films and high-k dielectric layers. In this paper, The advantages of high concentration of nitrogen in silicon oxide layer deposited by using $N_2O$ in Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition (ICP-CVD) is investigated using X-ray energy dispersive spectroscopy (EDS). We have reported about Ellipsometric measurement, Capacitance - Voltage characterization and processing conditions.

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