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학술저널
저자정보
권영재 (인하대학교 금속공학과) 이종무 (인하대학교 금속공학과) 배대록 (삼성전자 반도체 연구소 LS 공정개발) 강호규 (삼성전자 반도체 연구소 LS 공정개발)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제8권 제6호
발행연도
1998.1
수록면
484 - 492 (9page)

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단결정 Si기판위의 Co/Ti 이중층으로부터 형성된 Co 실리사이드의 에피텍셜 성장기구에 대하여 조사하였다. 실리사이드화 과정중 Ti원자들이 저온상의 CoSi결정구조의 tetrahedral site들을 미리 점유해 있음으로 인하여, $CoSi_{2}$ 결정구조로 바뀌는 과정에서 Si원자들이 나중에 제위치를 차지하기 어렵게 되는 효과 때문이다. 그리고 Ti중간층은 반응의 초기단계에 Co-Ti-O 삼원계 화합물을 형성하는데, 이 화합물은 실리사이드화 과정중 반응 제어층으로 작용하여 에피텍셜 실리사이드 형성에 중요한 역할을 한다. 최종 열처리 층구조 Ti oxide/Co-Ti-Si/epi/$Cosi_{2}$(100) Si 이었다.

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