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학술저널
저자정보
우동곤 (한양대학교 공과대학 신소재공학과) 홍성철 (한양대학교 공과대학 신소재공학과) 김정식 (한양대학교 공과대학 나노 반도체 공학과) 조한구 (나노 과학 기술연구소) 안진호 (한양대학교 공과대학 신소재공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제15권 제1호
발행연도
2016.1
수록면
22 - 26 (5page)

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Extreme ultraviolet (EUV) pellicle is one of the most concerned research in the field of EUV lithography (EUVL). Imaging performance of EUV mask with pellicle should be investigated prior to high volume manufacturing (HVM) of EUVL. In this paper, we analyzed the relationship between standoff distance and imaging performance of EUV mask to verify the influences of relative standoff distance on imaging performance. As a result, standoff distance of EUV pellicle has no effect on imaging performance of EUV mask such as critical dimension (CD), normalized image log slope (NILS) and image contrast. Therefore, pellicle support structure can be flexibly designed and modified in diverse ways to complement the thermal limitation of EUV pellicle membrane.
#EUVL #EUV pellicle #coherent scattering microscopy #CSM) #standoff distance #imaging performance

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