지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 115 - 121 (7page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
Response surface methodology (RSM) is used to investigate the complex coupling effects of different operating parameters on silicon growth rate in planetary CVD reactor. Based on the computational fluid dynamics (CFD) model, an accurate RSM model is obtained to predict the growth rate with different parameters, including temperature, pressure, rotation speed of the wafer, and the mole fraction of dichlorosilane (DCS). Analysis of variance is used to estimate the contributions of process parameters and their interactions. Among the four operating parameters that have been studied, the influences of susceptor temperature and the operating pressure were the most significant factors that affect silicon growth rate, followed by the mole fraction of DCS. The influence of wafer rotation is the least. The validation tests show that the results of silicon deposition rate obtained from the regression model are in good agreement with those from CFD model and the maximum deviations is 2.15%.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (20)
참고문헌 신청
D.-S. Shin / 2008 / Methods of fabricating a semiconductor device using a selective epitaxial growth technique / U.S. Patent No. 7,361,563
F.-R. Fan / 2009 / Facet-selective epitaxial growth of heterogeneous nanostructures of semiconductor and metal: ZnO nanorods on Ag nanocrystals / Journal of the American Chemical Society 131(34):12036~12037
C. H. Ang / 2004 / Method of fabricating a CMOS device with integrated super-steep retrograde twin wells using double selective epitaxial growth / U.S. Patent No. 6,743,291
S. Pae / 1999 / Multiple layers of silicon-on-insulator islands fabrication by selective epitaxial growth / IEEE Electron Device Letters 20(5):194~196
R. Loo / 2014 / Strained Ge FinFET structures fabricated by selective epitaxial growth, Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM) / 2014 7th International :19~20
F.-R. Fan / 2009 / Facet-selective epitaxial growth of heterogeneous nanostructures of semiconductor and metal: ZnO nanorods on Ag nanocrystals / Journal of the American Chemical Society 131(34):12036~12037
C. H. Ang / 2004 / Method of fabricating a CMOS device with integrated super-steep retrograde twin wells using double selective epitaxial growth / U.S. Patent No. 6,743,291
S. Pae / 1999 / Multiple layers of silicon-on-insulator islands fabrication by selective epitaxial growth / IEEE Electron Device Letters 20(5):194~196
R. Loo / 2014 / Strained Ge FinFET structures fabricated by selective epitaxial growth, Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM) / 2014 7th International :19~20
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Process optimization of silicon growth in a planetary CVD reactor using CFD-RSM combined method
대한기계학회 춘추학술대회
2020 .12
-
[세션초청논문] Optimization of growth rate for Si in a planetary CVD reactor
대한기계학회 춘추학술대회
2019 .11
-
Study of Cooling Rate on the Growth of Graphene via Chemical Vapor Deposition
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2017 .04
-
Numerical Modeling on Epitaxial Growth of Silicon in a Planetary CVD Reactor
대한기계학회 춘추학술대회
2017 .11
-
Direct Chemical Vapor Deposition Growth of ReS2 on Graphene
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2017 .10
-
Si 선택적 성장을 위한 대형 CVD 반응기 내의 열 및 유동해석
반도체디스플레이기술학회지
2016 .01
-
Planetary 형 반응기에서 웨이퍼와 기판 사이의 틈새가 웨이퍼 온도에 미치는 영향에 대한 연구
반도체디스플레이기술학회지
2017 .01
-
Numerical Study on Flow and Heat Transfer in a CVD Reactor with Multiple Wafers
반도체디스플레이기술학회지
2018 .01
-
Substrate Temperature Dependence of Microcrystalline Silicon Thin Films by Combinatorial CVD Deposition
한국표면공학회지
2015 .06
-
화학기상증착 코팅로의 용량에 따른 탄소 코팅 SiOx의 물리적 특성 변화 분석
한국표면공학회지
2022 .12
-
그래핀 CVD 내 열기류 및 화학반응 해석
대한기계학회 춘추학술대회
2016 .04
-
그래핀 CVD 내 열기류 및 화학반응 해석
대한기계학회 춘추학술대회
2017 .05
-
Role of Cu Vapors in the Growth of Graphene on Cu Surface via Chemical Vapor Deposition
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2016 .10
-
Integrated Process Sequence of Epitaxy Silicon Wafer Production Using Plasma-Enhanced CVD
AFORE
2023 .11
-
상압 화학 기상 증착법을 이용한 그래핀의 저온 합성 연구
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2015 .10
-
Conversion of Plastic Waste to Carbon Nanofibers via a 2-Process Chemical Vapor Deposition Method
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2022 .10
-
CVD Chamber 방사율 변화에 따른 Wafer 온도에 대한 수치해석적 연구
한국생산제조학회지
2024 .08
-
Multi-Finger MOSFET의 바이어스 종속 S11-파라미터 분석
전자공학회논문지
2016 .12
-
Diamond Crystal Growth Behavior by Hot Filament Chemical Vapor Deposition According to Pretreatment Conditions
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2020 .12
-
홈메이드 ALD(atomic layer deposition)의 제작과 알루미늄 옥사이드의 제작
대한전자공학회 학술대회
2021 .11
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0