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학술대회자료
저자정보
정도혁 (성균관대학교) 김소영 (성균관대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2020년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2020.11
수록면
177 - 180 (4page)

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In this paper, cross-shaped gate-all-around transistor (Cross-FET) is explored by dc and ring oscillator (RO) benchmark compared with gate-all-around nanosheet transistor (NSFET). With the same effective width, Cross-FET shows an advantage in drive current by 5% compared with nanosheet structure and it can be more increased with stacked-channel structure. Cross-FET can be stacked by the same way of NSFET and with smaller number of stacked channels, and it can achieve higher drive current than NSFET. By using mixed-mode simulation of Sentaurus TCAD, Cross-FET and NSFET are evaluated through 5-stage Ring Oscillator and cross-FET showed better performance in the aspect of oscillation frequency.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. DC 시뮬레이션 파라미터
Ⅲ. DC 특성 분석
Ⅳ. RO 시뮬레이션 분석
Ⅴ. 결론 및 향후 연구
참고문헌

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