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학술저널
저자정보
Jinjun Feng (Beijing Vacuum Electronics Research Institute) Xinghui Li (Beijing Vacuum Electronics Research Institute) Jiannan Hu (Beijing Vacuum Electronics Research Institute) Jun Cai (Beijing Vacuum Electronics Research Institute)
저널정보
한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of Electromagnetic Engineering And Science Vol.20 No.1
발행연도
2020.1
수록면
1 - 8 (8page)

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The electron devices in which electrons do not collide with other particles or in which the collision probability is very small in the transport process can be theoretically regarded as general vacuum electron devices. General vacuum electron devices include microfabricated vacuum nano-electronic devices, which can work in atmosphere, and some solid-state electron devices with nanoscale channel for electrons whose material characteristics are close to those of vacuum channels. Vacuum nano-electron devices (e.g., nanotriodes) are expected to be the fundamental elements for high-speed, radiation-resistant large-scale vacuum integrated circuits. The solid-state electron devices with spin semiconductor materials, multiferroics or topological crystal insulators are quite different from traditional semiconductor devices and are expected to operate under novel principles. Understanding vacuum electron devices from a microcosmic perspective and understanding solid-state electron devices from a vacuum perspective will promote a union of vacuum electronics and microelectronics, as well as the formation and development of general vacuum electronics.
#General Vacuum Electronics #Multiferroics #Spin Semiconductor Materials #Topological Crystal Insulators #Vacuum Nano-Electron Devices

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. GENERAL VACUUM ELECTRONICS IN THE ATMOSPHERE
Ⅲ. GENERAL VACUUM ELECTRONICS IN SOLID STATE
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES

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