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학술저널
저자정보
신명철 (Kwangwoon University) 이건희 (Kwangwoon University) 강예환 (Kwangwoon University) 오종민 (Kwangwoon University) 신원호 (Kwangwoon University) 구상모 (Kwangwoon University)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제27권 제4호
발행연도
2023.12
수록면
189 - 193 (5page)

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본 연구에서는 4H-SiC Epi Surface에 Nitrogen implantation 공정이 깊은준위결함과 lifetime에 미치는 영향을 비교분석하였다. Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)와 Time Resolved Photoluminescence (TR-PL)을 사용하여 깊은준위결함과 carrier lifetime을 측정하였다. As-grown SBD에서는 0.16 eV, 0.67 eV, 1.54 eV 에너지 준위와 implantation SBD의 경우 0.15 eV 준위에서의 결함을 측정되었으며, 이는 nitrogen implantation으로 불순물이 titanium 및 carbon vacancy를 대체됨으로 lifetime killer로 알려진 Z1/2, EH6/7 준위 결함은 감소하였다.
#4H-SiC #DLTS #defect #carrier lifetime #trap

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
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