금속열처리법에 의한 재산화질화산화막 ( Reoxidized-Nitrided-Oxide Film Formed by Rapid Thermal Processing )

이경수 ,  이중환 ,  노태문 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

급속 열처리 공정에 의한 초박막 재산화 질화산화막의 유전 특성 ( Dielectrical Characteristics of Ultrathin Reoxidized Nitrided Oxides by Rapid Thermal Process )

이용재 ,  안점영

한국통신학회논문지

1991 .11

급속열처리법에 의한 재산화질화산화막의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of Reoxidized-Nitrided-Oxide Film Fomed by Rapid Theraml Processing )

노태문 ,  이경수 ,  남기수 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

연속적 급속열처리법에 의한 재산화질화산화막의 특성 ( Characteristics of Reoxidized-Nitrided-Oxide Films Prepared by Sequential Rapid Thermal Oxidation and Nitridation )

노태문 ,  이경수 ,  이중환 외 1명

전자공학회논문지

1990 .05

Hot Carrier Effect of n-MOSFET with Ultrathin Oxides Grown by High Pressure Oxidation and Nitrided in N2O

Tae Moon Roh ,  Dae Woo Lee ,  Jong Dae Kim 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

ONO 박막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate-Dielectrics )

조성천 ,  양광선 ,  박훈수 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

The Influence of Ion Implantation Damage on the Off-State Leakage Characteristics of n-MOSDETs with Ultrathin Oxide, Nitrided-Oxide and Re-Oxidized Nitrided-Oxide Gate Dielectrics

S. Fleische ,  P. T. Lai ,  Y. C. Cheng

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1993 .01

재산화 질화산화막의 기억트랩 분석과 프로그래밍 특성

남동우 ,  안호명 ,  한태현 외 2명

전기전자재료학회논문지

2002 .01

Thermal property of ultrathin polymer films

시윤기 ,  차준희 ,  장태현

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

1999 .04

재산화된 질화 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 특성 ( The Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate Dielectrics )

양광선 ,  박훈수 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1991 .09

산화막 및 재산화질화산화막의 MOS 캐패시터와 MOSFET의 신뢰성 ( Reliability of MOS Capacitors and MOSFET`s with Oxide and Reoxidized-Nitrided-Oxide as Gate Insulators )

노태문 ,  이경수 ,  유병곤 외 1명

전자공학회논문지-A

1993 .11

Fabrication and Thermal Conductivity Characterization of Ultrathin Films Based on Boron Nitride Nanosheet and Polyimide

황규현 ,  정영규

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2019 .04

Printed electrical sensor platforms by using ultrathin metal oxide semiconductors with functional organic materials

임유승

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2017 .10

Electrical Characteristics of Thin Oxide Grown by High-Pressure Oxidation with Rapid Thermal Nitridation

노태문 ,  이대우 ,  송윤호 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Rapid Thermal Nitridation Effets on Ultrathin Oxides Grown by High Presure Oxidation for ULSI Device Applications

Tae Moon Roh ,  Dae Woo Lee ,  Jong Moon Pa 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

ROLE OF ULTRATHIN ALUMINUM OXIDE AS A PASSIVATING TUNNEL OXIDE LAYER

Subhajit DUTTA ,  Kuma ,  MALLEM 외 5명

AFORE

2018 .08

RAPID THERMAL PROCESSING CHARACTERIZATION

C. B. Ya ,  ling ,  W. A. Keenan

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

Rapid Thermal Process에 의해 형성시킨 얇은 산화막의 전기적 특성

이철진 ,  성만영 ,  성영권

대한전기학회 학술대회 논문집

1994 .11

저압가스질화에서 탄소강의 초기 화합물층 형성 거동

김윤기 ,  김상권

한국표면공학회지

2011 .06

산화막 및 재산화질화산화막을 적용한 MOSFET의 성능저하 특성 ( Degradation of A MOSFET to Apply Oxide and Reoxidized-Nirided-Oxide to A Gate Dielectric )

노태문 ,  이경수 ,  남기수

대한전자공학회 학술대회

1990 .01