C₂F?? 가스가 Via Etching 특성에 미치는 영향

류지형; 박재돈; 윤기완

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자료유형: 학술저널

저자정보: 류지형 박재돈 윤기완

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제39권 제1호

발행연도: 2002.1

수록면: 31 - 38 (8page)

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0.35μm-비아(via) 식각공정을 개선하기 위하여 C₂F?? 가스의 식각특성을 분석하였다. 실험한 재료는 TEOS/SOG/TEOS 막을 올린 8인치 웨이퍼이며, 실험의 기법은 직교행열(Orthogonal array matrix) 실험 방식을 활용하였다. 산화막 식각에 이용된 장비는 transformer coupled plasma(TCP) source 방식이며 고밀도 플라즈마(HDP)장비이다. 실험의 결과는, 실험변수의 범위 내에서 C₂F??는 0.8μm/min-1.1μm/min 범위의 식각속도를 보이며 균일도(Uniformity)는 ±6.9%미만으로 측정되었다. CD 변화(skew)는 식각 전과 후를 비교하여 10% 미만이었고 그 결과 비등방성(anisotropic) 식각의 특성이 우수하였다. C₂F??를 20sccm 공급할 때 문제점이 발견되지 않았지만 14sccm을 공급하면 SOG 막의 내벽이 침식당하는 문제점이 있었다. 결과적으로 C₂F??는 HDP TCP에서 빠른 식각비와 넓은 공정창(process window)을 가진 식각특성을 나타내었다.

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