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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 305 - 310 (6page)
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Deep trench etching of silicon was investigated as a function of RF source power, DC bias voltage, C₄F8 gas flow rate, and O₂ gas addition. On increasing the RF source power from 300 W to 700 W, the etch rate was increased from 3.52 ㎛/min to 7.07 ㎛/min. The addition of O₂ gas improved the etch rate and the selectivity. The highest etch rate is achieved at the O₂ gas addition of 12 %. The selectivity to PR was 65.75 with O₂ gas addition of 24 %. At DC bias voltage of -40 V and C4F8 gas flow rate of 30 sccm, We were able to achieve etch rate as high as 5.25 ㎛/min with good etch profile.
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H.C. Jones / 1990 / Size dependent etching of small shapes / Proc. 8th Symp. Plasma Proc. : 45 ~
J.H. Min / 2004 / Redeposition of etch products on sidewalls during SiO2 etching in a fluorocarbon plasma. V. Effects of C/F ratio in plasma gases / J. Vac. Sci. Technol B22
J.M. Cook / 1991 / Etching issues at 0.35 ㎛ and below / Solid State Technol 34 : 119 ~
L. Jiang / 2004 / Impact of Ar addition to inductively coupled plasma etching of SiC in SF6/O2 / Microelectronic Engineering 73-74 : 306 ~
N. Fujiwara / 1990 / High selective AlSiCu etching using BBr3 mixed-gas plasma / Jpn. J. Appl Phys 29 : 2223 ~
J.H. Min / 2004 / Redeposition of etch products on sidewalls during SiO2 etching in a fluorocarbon plasma. V. Effects of C/F ratio in plasma gases / J. Vac. Sci. Technol B22
J.M. Cook / 1991 / Etching issues at 0.35 ㎛ and below / Solid State Technol 34 : 119 ~
L. Jiang / 2004 / Impact of Ar addition to inductively coupled plasma etching of SiC in SF6/O2 / Microelectronic Engineering 73-74 : 306 ~
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