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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제7호
발행연도
2004.1
수록면
701 - 707 (7page)

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High aspect ratio silicon structure through deep silicon etching process have become indispensable for advanced MEMS applications. In this paper, we present the results of modified Bosch process to obtain anisotropic silicon structure with conventional Inductively Coupled Plasma (ICP) etcher instead of the expensive Bosch process systems. In modified Bosch process, etching step (SF6) / sidewall passivation (C4F8) step time is much longer than commercialized Bosch scheme and process transition time is introduced between process steps to improve gas switching and RF power delivery efficiency. To optimize process parameters, etching (SF6) / sidewall passivation (C4F8) time and ion energy effects on etching profile was investigated. Etch profile strongly depends on the period of etch / passivation and ion energy. Furthermore, substrate temperature during etching process was found to be an important parameter determining etching profile. Test structures with different pattern size have been etched for the comparison of the aspect ratio dependent etch rate and the formation of silicon grass. At optimized process condition, micropatterns etched with modified Bosch process showed nearly vertical sidewall and no silicon grass formation with etch rate of 1.2 ㎛/ min and the size of scallop of 250 nm.
#Deep silicon etching #Etching #Passivation #Inductively Coupled Plasma

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참고문헌 (12)

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/ 1989. / Plasma Etching : 133 ~ google schola / 1992. / Microscopic uniformity in plasma etching 10 (5) : 2133 ~ google schola / 1996. / Controlling sidewall smoothness for micromachined Si mirrors and lens 14 (6) : 4080 ~ google schola / 1997. / Highly anisotropic silicon reactive ion etching for nanofabrication using mixture of SF6 / CHF3 gas micrograss 15 (3) : 640 ~ google schola / 1997. / Low temperature reactive ion etching of silicon with SF6 / O2 plasma J. Vac. Sci, Technol. B (2) : 434 ~ google schola

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