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논문 기본 정보
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- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE JOUNAL OF SEMICONDUCTOR THCHNOLOGY AND SCIENCE Vol.4 No.2
- 발행연도
- 2004.6
- 수록면
- 128 - 132 (5page)
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This paper presents the design, fabrication sequence and measurement results of a highly sensitive capacitive-type humidity sensor using a polyimide film without hydrophobic elements. The structure of the humidity sensor is MIM (metalinsulator-metal). For a high sensitivity, a modified aromatic polyimides as a moisture absorbing layer has been synthesized instead of using general polyimides containing hydrophobic elements. The polyimide film was obtained by synthesizing and thermally polymerizing polyamic acid composed of m-pyromellitic dianhydride, phenelenediamine and dimethylacetamide. Characteristics of fabricated sensors which include sensitivity, hysteresis and stability have been measured. The measurement result shows the percent normalized capacitance change of 0.37/% RH over a range from 10 to 90% RH, hysteresis of 0.77% over the same %RH range and maximum drift of 0.25% at 50%RH. The result shows that the developed humidity sensor can be applied to evaluate a hermeticity of various sensors and actuator systems as well as micro packages.
목차
ABSTRACT
1.INTRODUCTION
2.MOISTURE SENSING LAYER PREPARATION
3.FABRICATION
4.MEASUREMENT
5.CONCLUSION
ACKNOWLEDGEMENT
REFERENCES
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