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대한기계학회 대한기계학회 논문집 A권 대한기계학회논문집 A권 제28권 제11호
발행연도
2004.11
수록면
1,807 - 1,812 (6page)

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The application of chemical mechanical polishing(CMP) has a long history. Recently, CMP has been used in the planarization of the interlayer dielectric(ILD) and metal used to form the multilevel interconnections between each layers. Therefore, much research has been conducted to understand the basic mechanism of the CMP process. CMP performed by the down force and the relative speed between pad and wafer with slurry is typical tribo-system. In general, studies have indicated that removal rate is relative to energy. Accordingly, in this study, CMP results will be analyzed by a viewpoint of the mction energy using friction force measurement. The results show that energy would not constant in the same removal rate conditions

목차

Abstract

1. 서론

2. CMP의 트라이보 시스템

3. 실험장치 및 조건

4. 실험 결과

5. 결론

참고문헌

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