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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.1
- 발행연도
- 2008.3
- 수록면
- 92 - 97 (6page)
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In this Paper, we present a scaling theory for dual material surrounding gate (DMSGTs) MOSFETs, which gives a guidance for the device design and maintaining a precise subthreshold factor for given device parameters. By studying the subthreshold conducting phenomenon of DMSGTs, the effective conductive path effect (ECPE) is employed to acquire the natural length to guide the design. With ECPE, the minimum channel potential is used to monitor the subthreshold behavior. The effect of ECPE on scaling factor significantly improves the subthreshold swing compared to conventional scaling rule. This proposed model offers the basic designing guidance for dual material surrounding gate MOSFETs.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. SCALING THEORY
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSIONS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (5)
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1. [학술지(정기간행물)] - A. Chaudhry / 2006 / Controlling shortchannel effect in deep-submicron SOI MOSFETs for improved reliability: a review / IEEE Transactions on Electron Devices 4 (1) : 99 ~ 109
2. [학술지(정기간행물)] - R. H. Yan / 1992 / Scaling the Si MOSFET: from bulk to SOI to bulk / IEEE Trans. Electron Dev 39 (7) : 1704 ~ 1710
3. [학술지(정기간행물)] - K. Suzuki / 1993 / Scaling theory for double gate SOI MOSFETs / IEEE Transactions on Electron Devices 40 (12) : 2326 ~ 2329
4. [학술지(정기간행물)] - C. P. Auth / 1997 / Scaling theory for cylindrical, fully-depleted, surrounding-gate MOSFETs / IEEE Trans. on Electron Devices 18 (2) : 74 ~ 76
5. [학술지(정기간행물)] - K. K. Young / 1989 / Analysis of conduction in fully depleted SOI MOSFETs / IEEE trans. Electron Devices 36 (3) : 504 ~ 506
2. [학술지(정기간행물)] - R. H. Yan / 1992 / Scaling the Si MOSFET: from bulk to SOI to bulk / IEEE Trans. Electron Dev 39 (7) : 1704 ~ 1710
3. [학술지(정기간행물)] - K. Suzuki / 1993 / Scaling theory for double gate SOI MOSFETs / IEEE Transactions on Electron Devices 40 (12) : 2326 ~ 2329
4. [학술지(정기간행물)] - C. P. Auth / 1997 / Scaling theory for cylindrical, fully-depleted, surrounding-gate MOSFETs / IEEE Trans. on Electron Devices 18 (2) : 74 ~ 76
5. [학술지(정기간행물)] - K. K. Young / 1989 / Analysis of conduction in fully depleted SOI MOSFETs / IEEE trans. Electron Devices 36 (3) : 504 ~ 506
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