메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제40권 제6호
발행연도
2003.6
수록면
1 - 5 (5page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
Double-Gate MOSFET의 TSi변화에 따른 subthreshold 특성을 비교 분석하였다. Lightly-doped asymmetrical 소자의 경우에 symmetrical 소자에 비하여 subthreshold current가 TSi에 따라 급격하게 증가하는 현상을 발견하였으며 이는 낮은 depletion charge 때문에 TSi내의 전압분포가 linear한 특성을 갖는 것에 기인함을 밝혔다. 또한 이러한 현상을 설명할 수 있는 analytical equation을 유도하였으며 analytical equation 결과와 device simulation 결과를 비교하여 그 정확도를 검증하였다.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. Simulation 및 analytical analysis

Ⅲ. 결론

참고문헌

참고문헌 (0)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-013684947