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자료유형
학술저널
저자정보
Pramod Kumar Tiwari (Banaras Hindu University) S. Jit (Banaras Hindu University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.10 No.2
발행연도
2010.6
수록면
107 - 117 (11page)

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An analytical subthreshold swing model is presented for symmetric double-gate (DG) MOSFETs with Gaussian doping profile in vertical direction. The model is based on the effective conduction path effect (ECPE) concept of uniformly doped symmetric DG MOSFETs. The effect of channel doping on the subthreshold swing characteristics for non-uniformly doped device has been investigated. The model also includes the effect of various device parameters on the subthreshold swing characteristics of DG MOSFETs. The proposed model has been validated by comparing the analytical results with numerical simulation data obtained by using the commercially available ATLAS™ device simulator. The model is believed to provide a better physical insight and understanding of DG MOSFET devices operating in the subthreshold regime.
#DG MOSFET #ATLAS simulation #2D potential #subthreshold swing #effective conduction path effect(ECPE) #gaussian doped channel

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. THEORETICAL MODEL
Ⅲ. OUTLINE OF THE ATLAS™ SIMULATION
Ⅳ. RESULTS AND DISCUSSIONS
Ⅴ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (28)

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1. [학술지(정기간행물)] - F. Balestra / 1987 / Double-gate silicon-on-insulator transistor with volume inversion: A new device with greatly enhanced performance / Electron Device Letters, IEEE 8 (9) : 410 ~ 412 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - L. Huaxin / 2006 / An analytic potential model for symmetric and asymmetric DG MOSFETs / Electron Devices, IEEE Transactions on 53 (5) : 1161 ~ 1168 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - T. Tanaka / 1994 / Ultrafast operation of Vth adjusted p+-n+ doublegate SOI MOSFET's / Electron Device Letters, IEEE 15 (10) : 386 ~ 388 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - X. Liang / 2004 / A 2-D analytical solution for SCEs in DG MOSFETs / Electron Devices, IEEE Transactions on 51 (9) : 1385 ~ 1391 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - H. A. E. Hamid / 2007 / Two-Dimensional Analytical Threshold Voltage and Subthreshold Swing Models of Undoped Symmetric Double-Gate MOSFETs / Electron Devices, IEEE Transactions on 54 (6) : 1402 ~ 1408 google schola

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