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한국기계가공학회 한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집 한국기계가공학회 2008년도 춘계학술대회 논문집
발행연도
2008.5
수록면
125 - 128 (4page)

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Oxide Chemical Mechanical Polishing(CMP) using ceria slurry was investigated through the friction force monitoring in this paper. CMP performed by the down force and the relative motion of pad and wafer with slurry. During CMP process, the frictional signals were obtained by a force sensor which was installed in polisher. Friction force was analyzed according to abrasive concentration of the slurry and polishing run without conditioning. The friction force of ceria-based slurry increased during polishing time, and gradually became constant. The coefficient of friction also increased with the increase of abrasive concentration. As a result, the increase of the friction force is due to the increase of abrasive particles during CMP. Moreover, the COF increased during CMP without conditioning because abrasive particles was accumulated on the pad surface, which can lead to high removal rate. In addition, the glazing of pad surface affected the contact condition between abrasive particles and oxide film. These results were verified through the analysis of EDX data and SEM image of pad surface.
#Chemical Mechanical Polishing(기계화학적연마) #Ceria abrasive(CeO₂입자) #Friction force(마찰력) #Coefficient of friction(마찰계수)

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (1)

참고문헌 신청
김형재, 권대희, 정해도, 이응숙, 신영재. CMP 공정에서 발생하는 연마온도 분포에 관한 연구. Journal of the Korean Society for Precision Engineering. 2003 dbpia

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