지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
등록된 정보가 없습니다.
목차
Abstract
1. 서론
2. 제안된 트렌치 FLR의 구조 및 설계
3. 실험 결과 및 토론
4. 결론
감사의 글
참고문헌
저자소개
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - B. Jayant Baliga / 1996. / Power Semiconductor Devices : 81 ~
[학술지(정기간행물)] - A. Grove / 1967. / Effect of Surface Fields on the breakdown voltage of planar silicon p-n junctions IEEE Transaction on ED 14 : 157 ~ 162
[학술지(정기간행물)] - M. S. Adler / 1977. / Theory and Breakdown Voltage for Planar Devices with a Single Field Limiting Ring IEEE Transaction on ED 24 : 107 ~ 112
[학술지(정기간행물)] - D. Dragomirescu / 1999. / Proc. of the International Semiconductor Conference CAS 1 : 67 ~ 70
[학술지(정기간행물)] - Chanho Park / 2002. / A New Junction Termination Technique Using ICP RIE for Ideal Breakdown Voltages : 257 ~ 260
[학술지(정기간행물)] - A. Grove / 1967. / Effect of Surface Fields on the breakdown voltage of planar silicon p-n junctions IEEE Transaction on ED 14 : 157 ~ 162
[학술지(정기간행물)] - M. S. Adler / 1977. / Theory and Breakdown Voltage for Planar Devices with a Single Field Limiting Ring IEEE Transaction on ED 24 : 107 ~ 112
[학술지(정기간행물)] - D. Dragomirescu / 1999. / Proc. of the International Semiconductor Conference CAS 1 : 67 ~ 70
[학술지(정기간행물)] - Chanho Park / 2002. / A New Junction Termination Technique Using ICP RIE for Ideal Breakdown Voltages : 257 ~ 260
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
전력용 반도체 소자의 항복 전압 특성을 개선한 얇은 실리콘 산화막 트렌치를 이용한 새로운 접합 마감
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .07
-
트렌치를 이용한 고전압 SiC 반도체 소자의 접합마감 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2015 .07
-
고 내압 전력 소자 설계를 위한 필드 링 최적화에 관한 연구
전기전자학회논문지
2010 .09
-
〈속보논문〉 Trench와 FLR을 이용한 새로운 접합 마감 구조
전기학회논문지 C
2003 .06
-
이중 이온주입 공정을 이용한 트렌치 필드링 설계 최적화 및 전기적 특성에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2010 .01
-
내압특성개선을 위한 트렌치 필드링 설계 및 전기적특성에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2010 .01
-
전력소자를 위한 새로운 홈구조 터미네이션
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .07
-
The Research of Deep Junction Field Ring using Trench Etch Process for Power Device Edge Termination
전기전자학회논문지
2007 .12
-
전계방출소자의 3차원 전계해석
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .11
-
트렌치 깊이에 따른 트랜지스터와 소자분리 특성
대한전자공학회 학술대회
1999 .06
-
고집적 회로의 트렌치 소자분리를 위한 매립 산화물의 치밀화 연구 ( Densification of the Filled Oxide for VLSI Shallow Trench Isolation ( STI ) )
대한전자공학회 워크샵
1996 .01
-
새로운 트렌치 게이트 MOSFET 제조 공정기술 및 특성
한국항행학회논문지
2014 .01
-
박막 필터 삽입용 트렌치 공정 개발
한국통신학회 기타 간행물
2004 .11
-
600 V급 Super Junction MOSFET을 위한 Field Ring 설계의 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2012 .01
-
Shallow Trench Isolation for 0.15mm Device
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1997 .01
-
BLDC 모터용 100V 급 Super-junction Trench MOSFET 설계 연구
대한전자공학회 학술대회
2011 .06
-
개착 시공을 위한 트렌치 쉴드장비의 적용성 평가를 위한 실내실험
한국철도학회 논문집
2016 .04
-
TRENCH ETCHING FOR SHALLOW TRENCH ISOLATION USING $Cl_2/Ar$ PLASMA
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
토양 트렌치법에 있어서 트렌치의 유기물 처리능력
대한토목학회 학술발표회 개요집
1991 .10
-
원전 복합건물의 트렌치 설계방안 연구
한국에너지학회 학술발표회
2014 .11
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
마이크로 전력의 축차근사형 아날로그-디지털 변환기를 위한 시간 도메인 비교기
어지훈
,
김상훈
,
장영찬
한국정보통신학회논문지
2012
.06
〈속보논문〉 Trench와 FLR을 이용한 새로운 접합 마감 구조
河珉宇
,
吳在根
,
崔然益
외 1명
전기학회논문지 C
2003
.06
〈속보논문〉 트랜치 구조를 갖는 단락 애노드 SOI LIGBT
崔承弼
,
河珉宇
,
韓民九
외 1명
전기학회논문지 C
2002
.05
메모리 인터페이스를 위한 적응형 프리엠퍼시스를 가지는 8-Gb/s/채널 비균형 4-레벨 펄스진폭변조 입출력회로
장영찬
,
전영현
전자공학회논문지-SD
2009
.08
고속 퓨리어변환용 2차원 시스토릭 어레이를 위한 처리요소의 설계 및 제작 ( Design and Fabrication of a Processing Element for 2-D Systolic FFT Array )
이문기
,
신경욱
,
최병윤
전자공학회논문지
1990
.03
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-560-018791428