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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 C 전기학회논문지 제55C권 제6호
발행연도
2006.6
수록면
291 - 296 (6page)

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In this study, the sputtered BTO film was polished by CMP process with the self-developed BaTiO₃- and TiO₂-mixed abrasives slurries (MAS), respectively. The removal rate of BTO (BaTiO₃) thin film using the BaTiO₃-mixed abrasive slurry (BTO-MAS) was higher than that using the TiO₂-mixed abrasives slurry (TiO₂-MAS) in the same concentrations. The maximum removal rate of BTO thin film was 848 ㎚/min with an addition of BaTiO₃ abrasive at the concentration of 3 wt%. The sufficient within-wafer non-uniformity (WIWNU%) below 5% was obtained in each abrsive at all concentrations. The surface morphology of polished BTO thin film was investigated by atomic force microscopy (AFM).

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
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저자소개

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