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학술대회자료
저자정보
이정택 (인하대학교) 원종구 (인하대학교) 이은상 (인하대학교)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2009년도 추계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2009.11
수록면
1,117 - 1,122 (6page)

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The polishing process of a silicon wafer is a critical factor in the fabrication of semiconductor. Because a globally planar and mirror-like wafer surface are achieved in this process. The surface roughness in the wafer depends on thesurface properties of the carrier head unit along with other machining conditions such as working velocity, polishing pad, temperature, down-force, etc. In this paper, the wafer surface is investigated according to several parameters and experimental data. Experiments were performed to observe the down-force and temperature when the wafer carrier head unit was pressed down onto the polishing pad. A loadcell was employed to obtain the signal of the applied pressure against the polishing pad. Also, working temperature was detected using an infrared sensor. To study on the optimum conditions of machining, monitoring system is coded in Ch and the results of experiment present data using Ch.
#Wafer Polishing(웨이퍼 폴리싱) #Slurry Temperature(슬러리 온도) #Down Force(가압력)

목차

Abstract
1. 서론
2. 웨이퍼 폴리싱의 원리
3. 웨이퍼 폴리싱 실험
4. 웨이퍼 폴리싱 실험 결과
5. 결론
참고문헌

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