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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박재흥 (숭실대학교) 심은성 (숭실대학교) 장훈
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第46卷 SD編 第12號
발행연도
2009.12
수록면
73 - 79 (7page)

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최근 VLSI 회로 직접도가 급속도로 증가함에 따라 하나의 시스템 칩에 고밀도와 고용량의 내장 메모리(Embedded Memory)가 구현되고 있다. 고장난 메모리를 여분 메모리(Spare Memory)로 재배치함으로써 메모리 수율 향상과 사용자에게 메모리를 투명하게 사용할 수 있도록 제공할 수 있다. 본 논문에서는 고장난 메모리 부분을 여분 메모리의 행과 열 메모리 사용으로 고장난 메모리를 고장이 없는 메모리처럼 사용할 수 있도록 여분 메모리 재배치 알고리즘인 MRI를 제안하고자 한다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 제안하는 MRI 알고리즘
Ⅲ. 실험결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

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