고온에서 accumulation-mode Pi-gate p-MOSFET 특성

김진영; 유종근; 박종태

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김진영 (인천대학교) 유종근 (인천대학교) 박종태 (인천대학교)

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌第47卷 SD編第7號

발행연도: 2010.7

수록면: 1 - 7 (7page)

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Fin 폭이 다른 accumulation-mode Pi-gate p-채널 MOSFET의 고온특성을 측정 분석하였다. 사용된 소자는 Fin 높이는 10㎚ 이며 폭은 30㎚, 40㎚, 50㎚ 의 3종류이다. 온도에 따라서 드레인 전류, 문턱전압, subthreshold swing, 유효이동도 및 누설 전류 특성을 측정하였다. 온도가 증가할수록 드레인 전류는 상온에서 보다 약간 증가하는 현상이 나타났다. 온도에 따른 문턱전압의 변화는 inversion-mode 소자 보다 작은 것으로 측정되었다. 유효이동도는 온도가 증가할수록 감소하였으나 Fin 폭이 감소할수록 이동도는 큰 것을 알 수 있었다.

#SOI MOSFET #Pi-gate #Accumulation-mode #pMOSFET

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1. [학술지(정기간행물)] - Navab Singh / 2008 / Si SiGe Nanowire devices by top-down technology and their applications / IEEE Trans. Electron Devices 55 (11) : 3107 ~ 3118

2. [학술지(정기간행물)] - Jong Tae Park / 2002 / Multiple gate SOI MOSFETs :Device design guidelines / IEEE Trans. Electron Device 49 (12) : 2222 ~ 2228

3. [학술지(정기간행물)] - Jong Tae Park / 2001 / Pi-Gate SOI MOSFET / IEEE Electron Device Lett 22 (8) : 405 ~ 406

4. [학술지(정기간행물)] - Chi-Woo Lee / 2008 / Comparison of contact resistance between accumulation-mode and inversion-mode multiple-gate FETs / Solid State Electronics 52 : 1815 ~ 1820

5. [학술지(정기간행물)] - M.M.Iqbal / 2005 / The nano scale silicon accumulation-mode MOSFET-A comprehensive numerical study / IEEE Trans. Electron Device 55 (11) : 2946 ~ 2959

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