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윤의중 (호서대학교) 정명희 (안양대학교) 박노경 (호서대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第47卷 SD編 第7號
발행연도
2010.7
수록면
8 - 16 (9page)

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본 연구에서는 산소분압조건이 radio 주파수(RF) 마그네트론 스퍼터링으로 증착된 Al이 도핑된 ZnO (AZO) 박막의 성질에 미치는 영향을 조사하였다. Hall, photoluminescence (PL), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 측정들은 0.9의 산소분압으로 증착된 AZO 박막의 경우 p형 전도도를 나타내었지만 반면에 0 - 0.6 범위의 산소분압으로 증착된 AZO 박막의 경우는 n형 전도도가 관찰 되었다는 것을 보여주고 있다. 또한 PL 및 XPS 결과는 zinc vacancies 와 oxygen interstitials등과 같은 억셉터 같은 결함들이 0.9의 산소분압으로 증착된 AZO 박막 내에서 증가해서 그 결과 p형 전도도의 AZO 박막을 형성하였다는 것을 알려주고 있다. Hall 결과는 0 - 0.6 범위의 산소분압으로 증착된 AZO 박막을 투명 박막 트랜지스터 응용에서 전극층으로 사용할 수 있음을 가리키고 있다. X-ray diffraction 해석으로부터 더 큰 산소분압으로 증착 된 AZO 박막 들이 더 큰 tensile 스트레스 뿐 만 아니라 더 작은 grain 크기를 가지면서 더 악화 된 결정질 특성을 가진다는 사실을 확인 하였는데 이는 증착 도중에 더 많은 산소원자들이 주입되는 것과 관련이 있음을 알 수 있었다. atomic force 마이크로스코프의 연구에서 산소분압을 사용하여 증착된 박막에서 더 완만한 표면 거칠기를 관찰하였는데 산소원자들의 주입이 더 큰 비저항을 초래하였다는 것을 Hall 측정으로도 확인할 수 있었다.
#AZO thin films #photoluminescence #Hall measurements #RF magnetron sputtering #O₂ fraction

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (30)

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1. [학술지(정기간행물)] - D. J. Chadi / 1999 / / Phys. Rev. B 59 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - T. M. Barnes / 2005 / / Appl. Phys. Lett 86 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - S. Limpijumnong / 2004 / / Phys. Rev. Lett 92 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - Y. R. Ryu / 2003 / / Appl. Phys, Lett 83 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - G. Xiong / 2002 / / Appl. Phys. Lett 80 : 1195 ~ google schola

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