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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
정우식 (연세대학교) 강우헌 (연세대학교) 강성호 (연세대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第47卷 SD編 第12號
발행연도
2010.12
수록면
24 - 30 (7page)

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수율과 품질을 유지하기 위하여 불량 셀을 예비 셀로 수리하는 방법이 많이 사용되고 있다. 대부분의 메모리가 2차원 예비셀 구조를 갖는 상황에서, 최근의 Giga 용량 메모리의 경우 대부분의 칩에서 예비 셀에도 불량이 존재 한다. 본 논문에서는 예비 셀에 불량이 있는 경우를 고려한 자체 내장 수리연산 시 기존의 모든 자체 내장 수리연산 회로에 적용이 가능한 분석 영역 가상화 방법을 제시하였다. 분석 영역 가상화 방법은 향후 메모리 고용량화에 따른 필수 해결 사항인 에비 셀 불량에 대한 효과적인 대처방안이 될 수 있을 것이다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 2차원 예비셀 구조 메모리와 수리연산
Ⅲ. 예비셀 불량과 수리연산
Ⅳ. 분석 영역 가상화 방법
Ⅴ. 실험
Ⅵ. 결론
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