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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.6
- 수록면
- 1,460 - 1,464 (5page)
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본 논문에서는 MicroTec을 이용하여 Trench D-MOSFET의 항복전압을 분석하였다. 소자의 고집적을 위한 특성분석 기술은 빠른 변화를 보이고 있다. 이에 따라 고집적 소자의 특성을 시뮬레이션을 통하여 이해하고 이에 맞게 제작하는 기술은 매우 중요한 과제 중의 하나가 되었다. Trench MOSFET은 고전압에서 가장 선호하는 전원장치이다. Trench MOSFET에서 산화막 두께와 도핑농도는 항복전압의 크기를 결정하며 고전압에 커다란 영향을 미치고 있다. 본 연구에서는 채널의 도핑 농도를 1015㎝-3에서 1017㎝-3까지 변화시켜 도핑 농도에 따른 항복전압 특성을 조사하였다. 또한 게이트 산화막 두께와 접합깊이를 변화시켜 항복전압 특성을 분석하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자구조와 동작
Ⅲ. 시뮬레이션 방법 및 결과
Ⅴ. 결론
참고문헌
참고문헌 (6)
참고문헌 신청
1. [단행본] - V. Benda / 1999 / Power semiconduvtor devices / John Wiley @ Sons, Inc
2. [학술지(정기간행물)] - 양일석 / 2009 / 친황경 절전형 전력반도체 기술 / 전자통신동향분석 24 (6) : 11 ~ 21
3. [학술지(정기간행물)] - 강이구 / 2000 / 레치업 특성의 개선과 고속 스위칭 특성을 위한 다중 게이트 구조의 새로운 LIGBT / 전기전자재료학회논문지 13 (5) : 371 ~
4. [학술대회논문] - R. Sodhi / 1999 / High-density ultra-low Rdson 30V n-channel trench FETs for DC/DC converter applications / Proceeding of ISPSD : 307 ~
5. [학술지(정기간행물)] - 문승현 / 2001 / 스마트 파워 IC를 위한 P+ Driver 구조의 횡형 트렌치 IGBT / 전기전자재료학회논문지 14 (7) : 546 ~
2. [학술지(정기간행물)] - 양일석 / 2009 / 친황경 절전형 전력반도체 기술 / 전자통신동향분석 24 (6) : 11 ~ 21
3. [학술지(정기간행물)] - 강이구 / 2000 / 레치업 특성의 개선과 고속 스위칭 특성을 위한 다중 게이트 구조의 새로운 LIGBT / 전기전자재료학회논문지 13 (5) : 371 ~
4. [학술대회논문] - R. Sodhi / 1999 / High-density ultra-low Rdson 30V n-channel trench FETs for DC/DC converter applications / Proceeding of ISPSD : 307 ~
5. [학술지(정기간행물)] - 문승현 / 2001 / 스마트 파워 IC를 위한 P+ Driver 구조의 횡형 트렌치 IGBT / 전기전자재료학회논문지 14 (7) : 546 ~
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