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지상엽 (서울대학교) 서창수 (서울대학교) 김윤빈 (서울대학교) 정숙진 (서울대학교) 박신근 (서울대학교) 정재영 (서울대학교) 김장현 (서울대학교) 이종호 (서울대학교) 황철성 (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2015.6
수록면
291 - 294 (4page)

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We studied the hump phenomenon reduction of AI₂O₃ film using the PDA (Post Deposition Annealing) process. In order to confirm it, we fabricated MOS (Metal Oxide Silicon) capacitor using AI₂O₃ gate insulator, which was deposited by ALD (Atomic layer deposition). Based on the C-V (Capacitance-Voltage) measurement result, hump, which is attributed to near interface traps, was observed in low frequency. We also observed that the hump of AI₂O₃ film is removed through the PDA process.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
참고문헌

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