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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University) Takuya Fujii (Tokyo Metropolitan University)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2015-ECCE Asia
발행연도
2015.6
수록면
2,175 - 2,179 (5page)

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Developments of a high-frequency switching PWM inverter have been presented. In high-switching frequency PWM inverter, a dead time for preventing a short circuit of the inverter circuit is a one of the most critical issues. Especially, it will be affected to inverter operations, such as current distortions, output voltage reduction, and switching frequency limitations. In the case of using the Si-MOSFET, the dead time is normally set to at least 500-ns, and it is fixed value in each circuit. Therefore, the upper limitation of the switching frequency is limited by the dead time. This paper proposes a 500-kHz switching PWM inverter without dead time using Si-MOSFET, and it can be realized for setting low-voltage gate-drive operations. Moreover, it will present the experimental results for a single-phase PWM inverter, when the switching frequency is set to 500 kHz and DC voltage is set to 300 V.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. CIRCUIT CONFIGURATION
III. GATE DRIVE CIRCUIT
IV. EXPERIMENTAL RESULTS
V. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (0)

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