시뮬레이션을 통한 Tunneling Field Effect Transistor의 온도와 트랩 분포에 따른 전류 전달 특성 분석

이기태; 이륭빈; 권대웅; 박의환; 이준일; 김시현; 박태형; 김현민; 박병국

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저자정보: 이기태 (서울대학교) 이륭빈 (서울대학교) 권대웅 (서울대학교) 박의환 (서울대학교) 이준일 (서울대학교) 김시현 (서울대학교) 박태형 (서울대학교) 김현민 (서울대학교) 박병국 (서울대학교)

저널정보: 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2016년도 대한전자공학회 정기총회 및 추계학술대회

발행연도: 2016.11

수록면: 99 - 102 (4page)

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2017

Tunneling Field Effect Transistor의 채널과 산화막 사이 계면 트랩 위치에 따른 전류 전달 특성 분석

이기태 , 이준일 , 박의환 외 5명 대한전자공학회 학술대회 2017.06 학술대회자료

2016

시뮬레이션을 통한 Tunneling Field Effect Transistor의 온도와 트랩 분포에 따른 전류 전달 특성 분석

이기태 , 이륭빈 , 권대웅 외 6명 대한전자공학회 학술대회 2016.11 학술대회자료

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Tunneling field effect transistor (TFET) has been expected to replace conventional metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) in the field of low-power operation device. The traps in transistor can influence I-V characteristic of transistor. In this study, we investigate current transfer characteristics of TFET by temperature and trap distribution.

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