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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
Kyungho Shin (Korea University) Jongsun Park (Korea University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 정기총회 및 추계학술대회
발행연도
2015.11
수록면
840 - 843 (4page)

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This paper presents a single-ended 6T1D SRAM cell with a feedback-fade write access (FFWA) for near-threshold operation. FFWA facilitates the single-ended write operation without additional assist circuit or power domain. To speed-up the write operation, drag-down diode is also employed in the empty space of the cell layout. The 6T1D SRAM cell has the minimum area among the various cell topologies supporting decoupled read port. Compared to the conventional 6T SRAM cell, the 6T1D SRAM cell shows 22-46% worst case SNM improvements with only 5.4% area overhead, which is enabled by FFWA and two-by-two zigzag array (TZA) structures. In terms of write-speed, our SRAM cell is 1.34x and 2.12x faster than area-saving 7T and asymmetric 5T cells, respectively. The proposed SRAM cell operates with the supply voltage ranging from 1.1V to 0.45V with 0.53um2 cell area in 40nm CMOS technology.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. PROPOSED 6T1D SRAM CELL DESIGN
III. COMPARISON AND SIMULATION RESULT
IV. CONCLUSION
REFERENCES

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